球形硅微粉，主要用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的封裝上，根據(jù)集程度（每塊集成電路標(biāo)準(zhǔn)元件的數(shù)量）確定是否球形硅微粉，當(dāng)集程度為1M到4M時(shí)，已經(jīng)部分使用球形粉，8M到16M集程度時(shí)，已經(jīng)全部使用球形粉。250M集程度時(shí)，集成電路的線寬為0.25μm，當(dāng)1G集程度時(shí)，集成電路的線寬已經(jīng)小到0.18μm，目前計(jì)算機(jī)PⅣ處理器的CPU芯片，就達(dá)到了這樣的水平。這時(shí)所用的球形粉為檔次更高的，主要使用多晶硅的下腳料制成正硅酸乙脂與四氯化硅水解得到SiO2，也制成球形其顆粒度為-（10～20）μm可調(diào)。這種用化學(xué)法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要貴10倍，其原因是這種粉基本沒有放射性α射線污染，可做到0.02PPb以下的鈾含量。當(dāng)集程度大時(shí)，由于超大規(guī)模集成電路間的導(dǎo)線間距很小，封裝料放射性大時(shí)集成電路工作時(shí)會產(chǎn)生源誤差，會使超大規(guī)模集成電路工作時(shí)可靠性受到影響，因而必須對放射性提出嚴(yán)格要求。而天然石英原料達(dá)到(0.2～0.4)PPb就為好的原料?，F(xiàn)在國內(nèi)使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是進(jìn)口粉。
一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點(diǎn)為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時(shí)，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點(diǎn)為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以高中檔集成電路中不用球形粉時(shí)，也要用熔融的角形硅微粉。這也是檔次高的球形粉想用結(jié)晶粉整形為近球形不能成功的原因所在。80年代日本也走過這條路，不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即檔次高的塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。
是用熔融石英（即高純石英玻璃），還是用結(jié)晶石英，哪一種為原料生產(chǎn)高純球形石英粉為好？根據(jù)試驗(yàn)，專家認(rèn)為：這個(gè)題已經(jīng)很清楚，用天然石英SiO2，高溫熔融噴射制球，可以制得熔融的球形石英粉。用天然結(jié)晶石英制成粉，然后分散后用等離子火焰制成的球就是熔融的球，用火焰燒粉制得的球，表面光滑，體積也有收縮，更好用，日本提供的這種粉，用X射線光譜分析譜線是平的，也是全熔融球形石英粉，而國內(nèi)電熔融的石英，如連云港的熔融石英光譜分析不定型含量為95%，譜線仍能看出有尖峰，仍有5%未熔融。由此可見，生產(chǎn)球形石英粉，只要純度能達(dá)到要求，以天然結(jié)晶石英為原料好，其生產(chǎn)成本低，工藝路線更簡捷。
